P/N + Описание + Поиск контента
Номер в каталоге(s) : 2SC3022
MITSUBISHI ELECTRIC
Компоненты Описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)
Номер в каталоге(s) : 2SC3022 C3022
New Jersey Semiconductor
Компоненты Описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)
Номер в каталоге(s) : 2SC3101 C3101
Mitsumi
Компоненты Описание : RF power transistor NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
Номер в каталоге(s) : 2SC4989 C4989
Mitsumi
Компоненты Описание : RF power transistor NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
Номер в каталоге(s) : 2SC3102 C3102
New Jersey Semiconductor
Компоненты Описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF power transistor)
Номер в каталоге(s) : 2SC3630 C3630
Mitsumi
Компоненты Описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)
Номер в каталоге(s) : 2SC3021 C3021
MITSUBISHI ELECTRIC
Компоненты Описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)
Номер в каталоге(s) : 2SC3379 C3379
MITSUBISHI ELECTRIC
Компоненты Описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)
Номер в каталоге(s) : 2SC3022 C3022
Mitsumi
Компоненты Описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)
Номер в каталоге(s) : 2SC3102 C3102
MITSUBISHI ELECTRIC
Компоненты Описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF power transistor)
Номер в каталоге(s) : 2SC2905
MITSUBISHI ELECTRIC
Компоненты Описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)
Номер в каталоге(s) : 2SC3104 C3104
Mitsumi
Компоненты Описание : RF power transistor NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
Номер в каталоге(s) : MRF607
Microsemi Corporation
Компоненты Описание : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW power transistorS
Номер в каталоге(s) : RD60HUF1
MITSUBISHI ELECTRIC
Компоненты Описание : Silicon MOSFET power transistor 520MHz,60W (Rev - 2003)
Номер в каталоге(s) : BFY90
Microsemi Corporation
Компоненты Описание : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW power transistorS
Номер в каталоге(s) : 2N4427
Advanced Semiconductor
Компоненты Описание : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW power transistorS
Номер в каталоге(s) : 2N4427
Microsemi Corporation
Компоненты Описание : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW power transistorS
Номер в каталоге(s) : 2N4427
New Jersey Semiconductor
Компоненты Описание : RF & MICROWAVE DISCRETE LOW power transistorS (Rev - V2)
Номер в каталоге(s) : C1968A 2SC1968A
MITSUBISHI ELECTRIC
Компоненты Описание : NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF power transistor)